E&R: Führende SiC-Prozessintegration bietet Lösungen zur Steigerung der Prozessausbeute

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Nov 03, 2023, 11:10 ET

KAOHSIUNG, 3. November, 2023 /PRNewswire/ -- Siliziumkarbid (SiC) ist in der Halbleiterindustrie von zentraler Bedeutung, und E&R Technology hat sich verpflichtet, die Prozessausbeute durch wichtige SiC-Integrationslösungen zu erhöhen. SiC übertrifft Silizium durch seine hohe Temperaturbeständigkeit, überlegene Spannungstoleranz, starke Leistungsfähigkeiten und minimale Verluste, was es ideal für die Automobil- und 5G-Industrie macht.

Während SiC-Wafer hauptsächlich in den Größen 4 und 6 Zoll erhältlich sind, werden trotz der Schwierigkeiten bei der Prozessausbeute derzeit Anstrengungen unternommen, 8- und 12-Zoll-Wafer zu entwickeln. Tier 1 IDM-Hersteller wie ONSEMI, Infineon und Bosch kündigen Expansions- und Produktpläne für 2024-2025 an.

E&R arbeitet mit weltweit führenden Unternehmen und Anbietern zusammen und bietet wichtige Lösungen für die SiC-Integration an:

Laser-Annealing: E&R setzt ultrakurzwellige Laser mit seiner selbst-entwickelten Accelerated Optics Solution (ACES) für präzises und gleichmäßiges Flachglühen ein.

Wafer-ID-Kennzeichnung: Mit mehr als 30 Jahren Erfahrung im Laserbereich setzt E&R einen 355nm UV-Laser ein, der für SiC entwickelt wurde und die Anforderungen an Präzision und Durchsatz erfüllt. Es funktioniert für 6-, 8- und 12-Zoll-Wafer, sowohl auf der Ober- als auch auf der Rückseite.

Wafer-Schneiden und -Nuten: E&R verwendet die branchenführenden Pico-Second- und Femto-Second-Lasertechnologien zum Schneiden und Nuten und erreicht damit eine Mindestschnittbreite von 3 um. In Kombination mit der mechanischen Brechtechnologie erreichen die Maschinen von E&R eine Genauigkeit von ± 1um und reduzieren erfolgreich das Absplittern und die Rissbildung auf dem Wafer, während die Wärmeeinflusszone (WEZ) mit einer Gussdicke unter 2um minimiert wird.

Raman-Spektroskopie: In Zusammenarbeit mit weltweit führenden Wafer-Gießereien führt E&R die Raman-Spektroskopie-Technologie ein. Durch die Beleuchtung von Wafern mit Laserlicht auf der Oberfläche oder im Inneren induzieren sie Raman-Streuung und ermöglichen eine effektive Wellenformanalyse, um grundlegende Informationen über Wafer wie innere Spannungen, Gitterstruktur, Risse und Elementkonzentrationen zu erhalten. Diese Technologie ermöglicht den Kunden eine umfassende Bewertung und Anpassung der Prozessparameter, wodurch Verluste aufgrund verschiedener Defekte reduziert und letztendlich die Prozessausbeute verbessert werden kann.

Plasmabehandlung: E&R bietet verschiedene Plasmabehandlungstechnologien an, darunter LF-, RF- und Mikrowellen-Plasmaquellen. Diese sorgen für einen sehr gleichmäßigen Reinigungsprozess der Wafer vor dem Drahtbonden und Formen, was zu einer hohen Oberflächenhydrophilie und einem Wasserkontaktwinkel von weniger als 10 Grad führt. Darüber hinaus bietet E&R eine Lösung zur Plasmadekarbonisierung an, um die Kohlenstoffschichten zu reduzieren und so den nachfolgenden Rückseitenmetallisierungsprozess zu stärken.

E&R wird auch in Zukunft mit seinen Kunden zusammenarbeiten und Möglichkeiten für effizientere Fertigungsprozesse ausloten, um einen Beitrag zur künftigen Entwicklung der Halbleiterindustrie zu leisten.

Vom 14^.bis 17^. November wird E&R auf der Semicon Europa in der Messe München ausstellen. Bitte besuchen Sie Stand B2378, um mit E&R eine produktive Diskussion zu führen.

E&R Website: https://en.enr.com.tw/

Medienkontakt: [email protected]

Foto – https://mma.prnewswire.com/media/2265712/SiC.jpg