E&R : leader en solutions de pointe pour l'intégration des processus SiC en vue d'améliorer le rendement

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Nov 05, 2023, 20:07 ET

KAOHSIUNG, 6 novembre 2023 /PRNewswire/ -- Le carbure de silicium (SiC) joue un rôle essentiel dans l'industrie des semi-conducteurs, et la technologie E&R s'engage à améliorer les rendements des processus grâce à des solutions d'intégration de SiC essentielles. Le SiC surpasse le silicium en termes de résistance aux hautes températures, de tolérance supérieure aux tensions, de puissantes capacités énergétiques et de pertes minimales, ce qui en fait un matériau idéal pour les industries de l'automobile et de la 5G.

Alors que les plaquettes SiC sont principalement produites en formats de 4 pouces et 6 pouces, des initiatives sont en cours pour la création de plaquettes de 8 pouces et 12 pouces, même si cela implique des défis en termes de rendement du processus. Des fabricants de circuits intégrés de premier rang, tels qu'ONSEMI, Infineon et Bosch, dévoilent leurs projets d'expansion et de développement de produits prévus pour 2024-2025.

E&R collabore étroitement avec des acteurs majeurs de l'industrie et des fournisseurs à l'échelle mondiale, proposant des solutions d'intégration essentielles pour le SiC :

Recuit au laser : E&R utilise des lasers à très courte longueur d'onde en conjonction avec leur solution optique accélérée (ACES) développée en interne, garantissant un recuit superficiel précis et uniforme.

Marquage d'identification des plaquettes : avec plus de 30 ans d'expertise dans le domaine des lasers, E&R utilise un laser UV de 355 nm spécialement conçu pour le SiC, répondant aux exigences élevées en matière de précision et de débit. Ce laser est compatible avec les plaquettes de 6 pouces, 8 pouces et 12 pouces, aussi bien sur leur face supérieure que sur leur face inférieure.

Découpe et rainurage des plaquettes : E&R mise sur des technologies laser de pointe à picoseconde et femtoseconde pour la découpe et le rainurage, permettant d'atteindre une largeur minimale de coupe de 3 µm. Associées à une technologie de rupture mécanique, leurs machines garantissent une précision de ±1 µm, réduisant efficacement les risques d'ébréchures et de fissures de plaquette, tout en minimisant la zone affectée par la chaleur (HAZ) avec une épaisseur de recristallisation inférieure à 2 µm.

Spectroscopie Raman : en partenariat avec les principales fonderies de plaquettes à travers le monde, E&R met en avant la technologie de spectroscopie Raman. En éclairant les plaquettes à l'aide de lumière laser à leur surface ou à l'intérieur, ils provoquent une diffusion Raman, ce qui permet une analyse efficace des formes d'onde pour obtenir des informations fondamentales sur les plaquettes, telles que les contraintes internes, la structure cristalline, les fissures et les concentrations en éléments. Cette technologie permet aux clients d'évaluer de manière exhaustive et d'ajuster les paramètres de processus, réduisant les pertes dues à divers défauts, et améliorant en fin de compte le rendement du processus.

Traitement au plasma : E&R propose diverses technologies de traitement au plasma, y compris des sources de plasma LF, RF et micro-ondes. Cela garantit un processus de nettoyage très uniforme des plaquettes avant le filage et le moulage, résultant en une grande hydrophilicité de surface et un angle de contact avec l'eau de moins de 10 degrés. De plus, E&R propose une solution de décarbonisation au plasma pour réduire les couches de carbone, renforçant ainsi le processus de métallisation à l'arrière.

E&R continuera de collaborer avec ses clients et d'explorer des possibilités pour parvenir à des processus de fabrication plus efficaces, contribuant ainsi au développement futur de l'industrie des semi-conducteurs.

Du 14 au 17 novembre, E&R exposera lors du salon Semicon Europa au Messe München. N'hésitez pas à visiter leur stand n° B2378 pour discuter avec l'équipe d'E&R.

Site Internet d'E&R : https://en.enr.com.tw/

Contact pour les médias : [email protected]

Photo - https://mma.prnewswire.com/media/2265712/SiC.jpg